光刻意思

光刻（Photolithography）是一種用於微細加工的技術，特別是在半導體製造中，用於在矽晶圓或其他材料上形成微小的圖案。這個過程通常包括以下幾個步驟：

塗膠：在晶圓表面塗上一層光刻膠，這是一種感光材料，可以硬化或溶解以形成所需的圖案。
曝光：將晶圓放在光刻機的下方，通過掩模（mask）將紫外光投射到晶圓上的光刻膠上。掩模上有預先設計的圖案，只有這些圖案區域的光刻膠會受到紫外光的照射。
顯影：將曝光後的晶圓放入顯影液中，未曝光的光刻膠會被溶解，而曝光區域的光刻膠則保持不變。這樣，掩模上的圖案就被轉移到晶圓上的光刻膠上。
刻蝕：使用化學物質或電漿蝕刻技術，根據光刻膠上的圖案對晶圓表面進行刻蝕，去除不需要的材料，留下所需的結構。
去膠：刻蝕完成後，將晶圓上的光刻膠去除，露出下面的材料。

光刻是半導體製造過程中的關鍵步驟，它決定了晶片上電路圖案的精度和尺寸。隨著技術的發展，光刻技術不斷進步，目前最先進的極紫外（EUV）光刻技術已經能夠實現幾納米級別的解析度。