量子阱意思

量子阱（Quantum Well）是一種半導體結構，其中電子被限制在兩個平行的導電帶隙（通常是兩個不同的半導體材料組成的外延結構）之間的一層薄薄的半導體層中。這種結構通常是通過分子束外延（MBE）或金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）等技術在晶片上生長而成的。

量子阱的結構通常包含三層半導體材料：中間的量子阱層（通常是 GaAs 或其他直接帶隙半導體）被兩側的量子限制層（通常是 AlGaAs 或其他間接帶隙半導體）夾住。電子在量子阱層中的運動受到限制，這種限制導致了量子效應，例如量子限制斯塔克效應和量子限制激子。

量子阱在光電子學中有著廣泛的套用，例如在雷射 diode、光電探測器、發光二極體（LED）和光電器件中。通過調節量子阱的厚度，可以控制電子和空穴的波函式的重疊，從而控制激子形成的難易程度，進而調節器件的性能。