逆向偏壓意思

逆向偏壓（Reverse Bias）是半導體器件中的一個術語，特別是指PN結電晶體或二極體中的偏壓狀態。在PN結中，當正極電極連接到P型半導體的區域，而負極電極連接到N型半導體的區域時，這稱為正向偏壓。相反地，當正極電極連接到N型半導體的區域，而負極電極連接到P型半導體的區域時，這稱為逆向偏壓。

在逆向偏壓下，PN結的電阻會增加，因為電子的遷移率在P型區域中較低，而空穴的遷移率在N型區域中較低。這種配置通常用於電晶體的截止狀態，其中電晶體不導通，電流極小。逆向偏壓還可以用於電晶體的放大狀態，其中適當的電壓和電流條件可以導致電晶體進入放大區域。

逆向偏壓還可以用於測量PN結的電容特性，這種技術稱為電容電壓特性（C-V特性）測量，可以用於檢測半導體器件中的缺陷或用於工藝控制。